韩卫
【姓名】 韩卫
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 高压效应,光电晶体管,超导转变温度,氧化物超导体,离子注入,新结构HPT,InGaAs/Inp,穿通型,超导电性,氧注入,注量,InGaAs/InP,穿通,高增益,GaAs,GaAs器件,氢氧,光功率...
【工作单位】 北京师范大学
【曾工作单位】 北京师范大学;
【所在地域】 北京
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[1]魏东平;李国辉;韩卫;朱恩均;周均铭;.穿通型高增益AlGaAs/GaAs光电晶体管[J]高技术通讯.1992,(10)
[2]韩德俊;李国辉;韩卫;魏东平;阎凤章;朱恩均;周均铭;黄绮;.新型AlGaAs/GaAs穿通型光电晶体管[J]高技术通讯.1993,(10)
[3]李国辉,杨茹,于民,韩卫,曾一平.InGaAs/InP中离子注入和新型HPT[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
[4]阎凤章，李国辉，韩卫.穿通型光电晶体管的直流特性测试[J]北京师范大学学报(自然科学版).1994,(02)
[5]韩卫，罗晏，朱红清，司丽荣，李国辉.氢氧注入在GaAs器件中的应用[J]北京师范大学学报(自然科学版).1995,(04)
[6]刘振兴,林明柱,唐明华,孟宪仁,林振金,桑莉华,涂清云,韩卫,任燕如.压力对TlPb_xBaCa_3Cu_3O超导电性的影响[J]高压物理学报.1989,(03)
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