于民
【姓名】 于民
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 衬底,新结构HPT,InGaAs/Inp,硅薄膜,离子注入,InGaAs/InP,化学汽相沉积,多晶硅薄膜,多晶,RTCVD,4膜,晶粒,控制电极,基区,上生,浸润角,InGaAs材料,击穿电压,晶粒...
【工作单位】 北京师范大学
【曾工作单位】 北京师范大学;
【所在地域】 北京
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[1]李国辉,杨茹,于民,韩卫,曾一平.InGaAs/InP中离子注入和新型HPT[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
[2]王文静,许颖,罗欣莲,于元,赵玉文,于民,李国辉.在SiO_2和Si_(3)N_4膜上用RTCVD法沉积多晶硅薄膜的研究[J]太阳能学报.1999,(03)
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