于理科
【姓名】 于理科
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 锗,离子注入,垂直沟道的偶载场效应晶体管,基区,硅晶体管,有效沟道长度,光电探测器,系统级芯片,光电晶体管,新型垂直,场效应晶体管,沟道,耗尽层宽度,北京师范大学,物理研究所,接触区,材料改性,台面结...
【工作单位】 北京师范大学
【曾工作单位】 北京师范大学;
【所在地域】 北京
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[1]任永玲,于理科,李国辉,姬成周.新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性[J]北京师范大学学报(自然科学版).2003,(01)
[2]于理科,郭慧民,任永玲,李国辉,姬成周.全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).2003,(03)
[3]杨茹,李国辉,姬成周,田晓娜,韩德俊,于理科,任永玲,马本堃.全离子注入薄基区硅晶体管的研究[J]微电子学.2005,(01)
[4]杜树成,于理科,姬成周,李国辉.全离子注入锗光电晶体管的研制[J]北京师范大学学报(自然科学版).2001,(03)
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