仁永玲
【姓名】 仁永玲
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Ge/GaAs,雪崩光电二极管(APD),吸收倍增分离,薄膜性能,p－n结,GaAs,p型,倍增区,GaAs材料,辐射中心,核物理,光电探测器,反向击穿电压,北京师范大学,开启电压,吸收区,工作波长,...
【工作单位】 北京师范大学
【曾工作单位】 北京师范大学;
【所在地域】 北京
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[1]杨茹,李国辉,仁永玲,阎凤章,朱红清.Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
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