丁维清
【姓名】 丁维清
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 非晶态合金,外延层,β-FeSi_2,峰线,SIMS,过渡族,穆斯堡尔谱研究,H原子,失配度,非晶合金,合金,二次离子质谱,外延生长,磁性,薄膜形貌,吸氢能力,二次离子,过渡族金属,贮氢材料,β-Fe...
【工作单位】 北京师范大学
【曾工作单位】 北京师范大学;
【所在地域】 北京
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[1]丁维清.GaP外延层引入杂质的成因研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).1994,(03)
[2]李慧,马辉,丁维清,秦复光.Si(111)衬底上IBE法外延生长β-FeSi_2薄膜的研究[J]半导体学报.1997,(04)
[3]丁维清;林振金;杨锡震;.Zn离子注入GaP[J]仪表材料.1980,(05)
[4]丁维清;林振金;杨锡震;蔡萃丽;.GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱[J]北京师范大学学报(自然科学版).1981,(02)
[5]杨锡震;丁维清;林振金;.离子注入GaAs_(x-1)P_x(X■0.39)LED中深能级的研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).1981,(04)
[6]马如璋,多良,徐祖雄,丁维清.非晶态合金吸氢行为的研究[J]材料科学进展.1987,(03)
[7]徐祖雄,马如璋,多良,丁维清.非晶态合金Fe_(87)V_3Zr_(10)的吸氢现象[J]物理学报.1988,(09)
[8]杨锡震;丁楠;丁维清;.不同磷压下生长的MOVPE n-GaP中的Ni杂质浓度[J]北京师范大学学报(自然科学版).1989,(01)
[9]丁维清;黄致新;马辉;.X射线衍射对离子束混合形成硅化物品粒度的研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).1989,(04)
[10]罗广礼;丁维清;.X衍射线晶粒加宽线形分析的研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).1993,(04)
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