学者知网节

【姓名】	任永玲
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】	Ge/GaAs,白光快速退火,垂直沟道的偶载场效应晶体管,基区,硅晶体管,界面扩散,有效沟道长度,离子注入,系统级芯片,再结晶,新型垂直,GaAs,场效应晶体管,沟道,耗尽层宽度,物理研究所,北京师范...
【工作单位】	北京师范大学
【曾工作单位】	北京师范大学;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到4篇

[1]任永玲,于理科,李国辉,姬成周.新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性[J]北京师范大学学报(自然科学版).2003,(01)

[2]于理科,郭慧民,任永玲,李国辉,姬成周.全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).2003,(03)

[3]杨茹,李国辉,姬成周,田晓娜,韩德俊,于理科,任永玲,马本堃.全离子注入薄基区硅晶体管的研究[J]微电子学.2005,(01)

[4]杨茹,任永玲,李国辉,阎凤章,朱红清.GaAs上Ge薄膜的性能研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).2001,(02)

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
0/4	4	4	1	0	231