钱亚宏
【姓名】 钱亚宏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子束混合,硅化钨,卢瑟福背散射,热烧结,金属硅化物,二次缺陷,氧杂质,难熔,硅化物,共振散射,背散射谱,As离子注入,离子注入,离子束,辐照,混合机理,二硅化钨,退火温度,谱宽度,背散射,离子束辐照...
【工作单位】 北京师范大学
【曾工作单位】 北京师范大学;
【所在地域】 北京
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[1]钱亚宏;卢武星;卢殿通;王忠烈;.兆电子伏高能硼离子注入硅的埋层形成[J]微电子学与计算机.1988,(10)
[2]王忠烈,丁训良,钱亚宏.As离子束混合形成硅化钨的卢瑟福背散射分析[J]核技术.1986,(05)
[3]王忠烈,钱亚宏,丁训良,胡仁元,刘伊黎.As离子注入形成硅化钨的研究[J]核技术.1986,(08)
[4]丁训良,王忠烈,钱亚宏.用~(16)O(α,α)~(16)O共振散射研究氧杂质对WSi_2形成及其性质的影响[J]核技术.1987,(09)
[5]丁训良,王忠烈,钱亚宏.二硅化钨形成、结构和电性质的研究[J]半导体学报.1988,(05)
[6]卢武星;钱亚宏;卢殿通;王忠烈;.MeV高能B离子注入Si的退火[J]北京师范大学学报(自然科学版).1988,(03)
[7]卢武星,钱亚宏,田人和,王忠烈.MeV高能B~+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除[J]物理学报.1990,(02)
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