钱思敏
【姓名】 钱思敏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;预防医学与卫生学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电子辐照,电子辐照缺陷,少子寿命,DLTS,n型,GaAs,表观激活能,深能级,功率器件,关断时间,谱图,掺金,复合中心,引入率,原子位移,深中心,反冲能,退火温度,晶格原子,电激活,辐照工艺,双空位...
【工作单位】 北京师范大学
【曾工作单位】 北京师范大学;
【所在地域】 北京
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[1]钱思敏;王炳林;王培德;刘安东;黄耀先;张传汉;朱悟新;张厥宗;.硅功率器件的电子辐照效应及其机理[J]北京师范大学学报(自然科学版).1984,(03)
[2]姚秀琛,元民华,秦国刚,丁墨元,施益和,钱思敏.n型LPE GaAs层中几种电子辐照缺陷的研究[J]半导体学报.1985,(03)
[3]陈开茅,钱思敏,兰李桥.电子辐照激活硅中不激活铜的DLTS测量方法[J]半导体学报.1986,(03)
[4]兰李桥,钱思敏,刘晓光,谷洪春,施婷婷.硅功率器件生产中控制少子寿命的电子辐照工艺[J]核技术.1987,(11)
[5]李凤梅;钱思敏;罗萍;钟新明;.确定电离辐射灭菌剂量方法的比较[J]中国消毒学杂志.1993,(02)
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