李桂英
【姓名】 李桂英
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 物理学;仪器仪表工业;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 位错密度,GaP,位错,电子束感生电流(EBIC),外延片,载流子浓度,单晶,LPE,位错坑形态,二次电子像,位错坑,发光效率,外延层,总光通量,半导,体材料,扩散长度,腐蚀坑,扫描电子显微镜,外延,...
【工作单位】 北京师范大学
【曾工作单位】 北京师范大学;
【所在地域】 北京
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[1]李桂英,刘荣寰,杨锡震,王亚非,桑丽华.GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布[J]稀有金属.1999,(06)
[2]李桂英,杨锡震,孙寅官,王亚非.GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响[J]稀有金属.1997,(05)
[3]李永良,郝京海,李桂英,杨锡震,王亚非.GaP:N　LPE半导体材料位错密度和位错坑形态分析[J]北京师范大学学报(自然科学版).1998,(04)
[4]李永良,杨锡震,李桂英,王亚非.GaP LPE半导体材料的扫描电子显微镜研究[J]现代仪器使用与维修.1998,(03)
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