张灶利
【姓名】 张灶利
【职称】
【研究领域】 金属学及金属工艺;无线电电子学;机械工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 薄膜氧化,硅化物,Si衬底,界面反应,电子显微术,热镀铝,Si界面,相变,化合物,复合体机制,Ｘ射线,原子,低温相,Cu合金,镀膜方法,界面形成,真空热处理,杂质的晶界偏聚,氧化物,外延层,国维,电子...
【工作单位】 北京科技大学
【曾工作单位】 北京科技大学;
【所在地域】 北京
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[1]张灶利,郭红霞,肖治纲,余宗森,王桂兰.Co薄膜的稳定性和室温相观察[J]材料研究学报.1999,(04)
[2]张灶利,刘键,林清英,余宗森,刘登科.磷在钢回火脆性发展时的非平衡偏聚及钼的影响[J]钢铁研究学报.1999,(05)
[3]张灶利,吴旭飚,刘登科,林清英,余宗森.超低碳钢等温过程中杂质的晶界偏聚研究[J]金属热处理学报.1999,(02)
[4]刘键,王佩璇,张灶利.中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究[J]稀有金属.1999,(05)
[5]张灶利，肖治纲，杜国维.Si衬底上Co薄膜氧化观察[J]金属学报.1994,(18)
[6]张灶利，肖治纲，杜国维.Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究[J]半导体学报.1995,(03)
[7]张灶利，翟启华，纪箴，肖治纲，杜国维.Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察[J]半导体学报.1996,(04)
[8]张灶利，张崇芳，陈宁，余宗森.Al－Cu合金G．P．区异常快速形成的复合体机制[J]北京科技大学学报.1996,(06)
[9]张灶利，余宗森，张崇芳.热镀铝中硅的影响及其作用机制[J]兵器材料科学与工程.1996,(04)
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