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翟启华
【姓名】
翟启华
【职称】
【研究领域】
物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
界面反应,硅化物,X射线,界面形成,薄膜氧化,外延层,真空条件,高分辨,国维,氧化物,硅化物薄膜,临界厚度,氟酸,真空热处理,非晶,高分辨像,成核率,非晶层,观察到,氩气氛,
【工作单位】
北京科技大学
【曾工作单位】
北京科技大学;
【所在地域】
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中国期刊全文数据库
共找到1篇
[1]张灶利,翟启华,纪箴,肖治纲,杜国维.
Co/Si和Co/SiO_2界面反应的观察
[J]半导体学报.1996,(04)
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北京科技大学
1
肖治纲
北京科技大学
1
纪箴
北京科技大学
1
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该学者文献引用过的学者
(学者,学者单位,篇数)
张灶利
北京科技大学
1
肖治纲
北京科技大学
1
杜国维
北京科技大学
1
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