肖治纲
【姓名】 肖治纲
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 新施主,点状,薄膜氧化,片状,氧化物,La_2O_3,氧沉淀,内氧化,早期发展,循环氧化,热处理,方石英,点状缺陷,预处理,铬铝合金,硅化物,氧化膜,片状氧化物,Si衬底,稀土铁,界面反应,电子显微术...
【工作单位】 北京科技大学
【曾工作单位】 北京科技大学;
【所在地域】 北京
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[1]张灶利,郭红霞,肖治纲,余宗森,王桂兰.Co薄膜的稳定性和室温相观察[J]材料研究学报.1999,(04)
[2]张灶利，肖治纲，杜国维.Si衬底上Co薄膜氧化观察[J]金属学报.1994,(18)
[3]张灶利，肖治纲，杜国维.Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究[J]半导体学报.1995,(03)
[4]张灶利，翟启华，纪箴，肖治纲，杜国维.Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察[J]半导体学报.1996,(04)
[5]张文林,杜国维,肖治纲,马肇曾,林实.湿化学法合成铌镁酸铅陶瓷微观结构[J]北京科技大学学报.1997,(04)
[6]李家全,肖治纲,柯俊.热处理CZ-Si中新施主与氧沉淀产物的对应关系[J]物理学报.1989,(11)
[7]杜国维,袁之良,肖治纲.稀土铁铬铝合金的高温氧化TEM研究[J]北京科技大学学报.1993,(04)
[8]栾洪发,肖治纲,柯俊.热处理CZ—Si中氧化物沉淀早期发展的研究[J]半导体学报.1993,(02)
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