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王丛华
【姓名】
王丛华
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
区熔,Si单晶,退火曲线,火行为,硅单晶,中子积分通量,辐照,电阻率,后热,空间电荷区,施主态,轻水堆,旋涡缺陷,辐照损伤,中子辐照,通量,条件,快中子通量,等时退火,冷却速度,
【工作单位】
北京科技大学
【曾工作单位】
北京科技大学;
【所在地域】
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共找到1篇
[1]陈燕生,李秋生,王丛华,陈炳贤,高秀清.
区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响
[J]稀有金属.1990,(01)
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