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龙世兵
【姓名】
龙世兵
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;计算机硬件技术;
【研究方向】
超大规模集成电路铜互连线技术研究
【发表文献关键词】
铜,互连,铜互连线,阻挡层,扩散阻挡层,电镀,ULSI,超大规模集成电路,铜互连,ULSI铜互连,化学机械抛光,界面反应,铜互连技术,X射线光电子能谱,Cu互连,各向异性磁电阻,Ni0.81Fe0.1...
【工作单位】
北京科技大学
【曾工作单位】
北京科技大学;
【所在地域】
北京
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共找到6篇
[1]龙世兵,马纪东,于广华,赵洪辰,朱逢吾,张国海,夏洋.
SiO_2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响
[J]北京科技大学学报.2003,(01)
[2]李海峰,马纪东,于广华,龙世兵,赵洪辰,朱逢吾.
(Ni_(0.81)Fe_(0.19))_(1-x)Cr_x缓冲层上生长高各向异性磁电阻Ni_(0.81)Fe_(0.19)薄膜的研究
[J]科学通报.2003,(05)
[3]张国海,夏洋,钱鹤,高文芳,于广华,龙世兵.
以注氮SiO_2 作为铜互连技术中的新型阻挡层(英文)
[J]半导体学报.2001,(03)
[4]张国海,钱鹤,夏洋,王文泉,龙世兵.
ULSI铜互连线技术中的电镀工艺
[J]半导体学报.2001,(08)
[5]张国海,夏洋,龙世兵,钱鹤.
ULSI中铜互连线技术的关键工艺
[J]微电子学.2001,(02)
[6]龙世兵,马纪东,于广华,赵洪辰,朱逢吾,张国海,夏洋.
SiO_2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响(英文)
[J]半导体学报.2002,(10)
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