吕燕伍
【姓名】 吕燕伍
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】 半导体低维结构的光电特性等领域的研究工作
【发表文献关键词】 GaN量子点,有效质量理论,装卸桥,三维建模软件,虚拟样机,氮化物半导体,GaN/AlN量子点结构,电子能级,吸收谱,量子点,电子结构,红外,能谱,红外吸收,有限元方法,机械系统,动力学分析,运动学,...
【工作单位】 北京交通大学
【曾工作单位】 北京交通大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到23篇
[1]王胜男;吕燕伍;.二维氮化镓中空位缺陷研究[J]半导体技术.2023,(04)
[2]白雅楠;吕燕伍;.ε-(Al_xGa_(1-x))_2O_3/ε-Ga_2O_3异质结电子输运性质研究[J]人工晶体学报.2022,(03)
[3]宋莉娜;吕燕伍;.InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响[J]物理学报.2021,(17)
[4]张园园;吕燕伍;.石墨烯中嵌入硅纳米线的第一性原理研究[J]人工晶体学报.2018,(01)
[5]赵东亮;吕燕伍;.复合半导体石墨烯与氮化镓界面结构的性质[J]中国科技信息.2017,(07)
[6]胡佐富;吴怀昊;吕燕伍;张希清;.High response Schottky ultraviolet photodetector formed by PEDOT:PSS transparent electrode contacts to Mg_(0.1)Zn_(0.9)O[J]Chinese Physics B.2015,(10)
[7]杨鹏;吕燕伍;王鑫波;.AlN插入层对Al_xGa_(1-x)N/GaN界面电子散射的影响[J]物理学报.2015,(19)
[8]李林青;吕燕伍;.Surface-plasmon-enhanced light transmission intensity with a basic grating in GaNbased LED[J]Journal of Semiconductors.2014,(04)
[9]杜晓雷;吕燕伍;江潮;.单层与双层WSe_2纳米片层的光致发光[J]发光学报.2014,(05)
[10]刘金龙;章小丽;王健;吕燕伍;段素青;.GaAs/AlGaAs量子级联激光器中的声学声子散射[J]北京交通大学学报.2014,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到5篇
[1]吕燕伍;.氮化物半导体中远红外量子级联激光器材料设计[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
[2]蔡琳;吕燕伍;.氮化物半导体量子点子带间红外吸收特性[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
[3]蔡琳;吕燕伍;.氮化物半导体量子点子带间红外吸收特性[A].2004年材料科学与工程新进展.2004-11-01
[4]吕燕伍;Greg Sun;.氮化物半导体中远红外量子级联激光器材料设计[A].2004年材料科学与工程新进展.2004-11-01
[5]史金鹏;丁克勤;吕燕伍;.基于SIMPACK的门式装卸桥虚拟仿真建模与动力学仿真研究[A].北京力学学会第12届学术年会论文摘要集.2006-01-01
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]吕燕伍;.氮化物半导体子带带间红外发光性质的研究[A].北京交通大学;.项目经费 25万元.2003-03-31.资助文献数 7 篇
[2]吕燕伍.氮化镓半导体低维结构中子带间集体激发过程的研究[A].北京交通大学.项目经费 36万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇
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