袁洪涛
【姓名】 袁洪涛
【职称】 教授;
【研究领域】 物理学;化学;材料科学;
【研究方向】 ZnO晶须的制备与表征
【发表文献关键词】 ZnO,化学汽,阵列,相沉积,取向生长,MOCVD,氧化物,晶须,MOCVD法,ZnO晶须,原位生长,一维阵列,金属有机物,FeOx,MOCVD方法,开放式,低维材料,多元掺杂,北京航空航天大学,金属...
【工作单位】 北京航空航天大学
【曾工作单位】 北京航空航天大学;
【所在地域】 北京
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[1]袁洪涛,张跃,谷景华.原位生长高度定向ZnO晶须[J]物理学报.2004,(02)
[2]张跃,袁洪涛,程进,宋强.MOCVD法制备一维氧化物阵列材料[J]北京航空航天大学学报.2004,(10)
[3]张雪川;张跃;袁洪涛;王树彬;.MOCVD法制备一维定向ZnO晶须阵列及掺杂研究[J]人工晶体学报.2005,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]袁洪涛;张跃;.MOCVD法制备高定向ZnO晶须[A].2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01
[2]林煌;袁洪涛;童强;张阳;张跃;.MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ.2004-09-01
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