余明斌
【姓名】 余明斌
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氢含量,硅薄膜,纳米硅,电致发光,光致发光,晶态比,纳米,透射率谱,量子隧穿作用,量子点,微晶粒,电导率,硅膜,敏度,光学带隙,滞后效应,退火温度,晶态,光能隙,暗电导率,火温,核反应,氢原子,氢释放...
【工作单位】 北京航空航天大学
【曾工作单位】 北京航空航天大学;
【所在地域】 北京西安
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[1]余明斌,何宇亮,刘洪涛,罗晋生.纳米硅薄膜退火特性[J]物理学报.1995,(04)
[2]何宇亮,余明斌,万明芳,李雪梅,徐士杰,刘湘娜,于晓梅,郑厚植,罗晋生,魏希文,戎霭伦.纳米硅薄膜的电致发光和光致发光探索[J]自然科学进展.1995,(03)
[3]于晓梅，何宇亮，李雪梅，余明斌.PECVD法生长纳米硅薄膜的压敏特性[J]北京航空航天大学学报.1996,(01)
[4]何宇亮,余明斌,吕燕伍,戎霭伦,刘剑,徐士杰,罗克俭,奚中和.纳米硅薄膜中的量子点特征[J]自然科学进展.1996,(06)
[5]刘明，余明斌，何宇亮，江兴流.纳米硅二极管的电输运特性[J]电子学报.1997,(11)
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