周仲蓉
【姓名】 周仲蓉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 是微电子器件的可靠性
【发表文献关键词】 GaAs FET,厚膜电阻,快速评价,寿命分布,多芯片组件,失效机理,MCM-C,MESFET,电应力,退化规律,GaAs,新方法,信息与控制,膜电阻,威布尔分布,北京工业大学,互连通孔,可靠性,微电...
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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[1]李志国,宋增超,孙大鹏,程尧海,张万荣,周仲蓉.GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究[J]半导体学报.2003,(08)
[2]周仲蓉,郭春生,程尧海,李志国,邹琼,张增照,莫郁薇.MCM-C中厚膜电阻的寿命分布及退化规律的研究[J]电子产品可靠性与环境试验.2003,(05)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]周仲蓉.MCM多层互连基板及膜电阻可靠性研究[D].北京工业大学.2004
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