魏泽民
【姓名】 魏泽民
【职称】
【研究领域】 中国共产党;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Si／SiGeHBT,SiO_2,射频溅射,Si/SiGeHBT,溅射,溅射膜,电流增益,真空度,溅射时间,液氮温度,低温淀积,氧化硅,氧化层,台面晶体管,溅射功率,膜质量,发射区,氩气,基区,晶体管,
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】
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[1]邹德恕,徐晨,罗辑,陈建新,高国,魏泽民,沈光地.射频溅射SiO_2在制造Si/SiGeHBT中的应用[J]半导体技术.1999,(04)
[2]黄颜明;赵铁庄;胡秀荣;魏泽民;王翠霞;.反腐警钟长鸣——纪念毛泽东诞辰100周年[J]中国高校后勤研究.1994,(01)
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