宋颖娉
【姓名】 宋颖娉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 GaN基LED的刻蚀技术研究
【发表文献关键词】 大功率发光二极管,自对准技术,倒装技术,总辐射功率,光电子学,固态照明,环状N电极,电流扩展,两步刻蚀法,GaN-LED,刻蚀损伤,PL特性,I-V特性,光刻胶,溅射,反向漏电流,器件特性,半峰全宽,...
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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[1]宋颖娉;郭霞;艾伟伟;董立闽;沈光地;.Cl_2/BCl_3ICP刻蚀GaN基LED的规律研究[J]微纳电子技术.2006,(03)
[2]艾伟伟;郭霞;刘斌;宋颖娉;刘莹;沈光地;.GaN基发光二极管的可靠性研究进展[J]半导体技术.2006,(03)
[3]艾伟伟;郭霞;刘斌;董立闽;刘莹;宋颖娉;沈光地;.电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响[J]激光与红外.2006,(06)
[4]刘诗文;郭霞;艾伟伟;宋颖娉;顾晓玲;张蕾;沈光地;.InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究[J]半导体光电.2006,(03)
[5]宋颖娉;郭霞;艾伟伟;董立闽;沈光地;.Cl_2/BCl_3ICP刻蚀蓝宝石研究[J]真空科学与技术学报.2006,(03)
[6]邹德恕;顾晓玲;孙重清;张剑铭;董立闽;郭霞;宋颖娉;沈光地;丁成隆;王新潮;.GaN基蓝光大功率发光二极管的研制[J]激光与光电子学进展.2006,(08)
[7]宋颖娉;郭霞;艾伟伟;周跃平;沈光地;.两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤[J]半导体学报.2006,(09)
[8]孙重清;邹德恕;顾晓玲;张剑铭;董立闽;宋颖娉;郭霞;高国;沈光地;.GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响[J]量子电子学报.2006,(06)
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