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[1]张万荣,李志国,穆甫臣,程尧海,孙英华,郭伟玲,陈建新,沈光地,张玉清,张慕义.具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性[J]半导体学报.2000,(06)
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[2]穆甫臣,李志国,张万荣,郭伟玲,孙英华,严永鑫.对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进[J]半导体学报.1999,(03)
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[3]张万荣,李志国,穆甫臣,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地,穆杰.GaAs MESFETs欧姆接触的快速评估和改进[J]北京工业大学学报.1999,(03)
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[4]穆甫臣,李志国,郭伟玲,张万荣,孙英华,程尧海,严永鑫.GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展[J]半导体技术.1998,(05)
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[5]张万荣,罗晋生,李志国,孙英华,穆甫臣,程尧海,陈建新,沈光地.Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟[J]固体电子学研究与进展.1998,(03)
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[6]张万荣,李志国,穆甫臣,郭伟玲,孙英华,陈建新,沈光地.砷化镓欧姆接触中的能带工程[J]微电子学.1998,(01)
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[7]张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,沈光地.半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层[J]微电子学与计算机.1998,(05)
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[8]张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,陈建新,沈光地.提高半导体器件欧姆接触可靠性的扩散阻挡层及其应用[J]电子工艺技术.1998,(01)
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