亢宝位
【姓名】 亢宝位
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;自动化技术;
【研究方向】 功率半导体器件的研究和教学工作
【发表文献关键词】 隔离结构,表面平坦化,微波功率双极晶体管,微波功率晶体管,SiGe异质结双极晶体管,参数折衷,反应离子刻蚀,复合中心能级位置,基区,局域寿命控制,透明发射区,NPT-IGBT,深穿通,平坦化,寿命控制...
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到38篇
[1]亢宝位;.中国IGBT制造业发展、现状与问题的思考[J]智能电网.2013,(01)
[2]周文定;亢宝位;.不断发展中的IGBT技术概述[J]中国集成电路.2009,(01)
[3]田波;亢宝位;吴郁;韩峰;.栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究[J]中国集成电路.2009,(02)
[4]韩峰;亢宝位;吴郁;田波;.CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比[J]中国集成电路.2009,(05)
[5]田波;吴郁;胡冬青;亢宝位;.采用优化的腐蚀工艺对TiSi_2接触特性的改善[J]北京工业大学学报.2009,(06)
[6]张彦飞;吴郁;游雪兰;亢宝位;.硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展[J]电子器件.2009,(03)
[7]游雪兰;吴郁;胡冬青;贾云鹏;张彦飞;亢宝位;.内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较[J]电子器件.2009,(03)
[8]田波;吴郁;黄淮;胡冬青;亢宝位;.面向低压高频开关应用的功率JFET的功耗[J]电工技术学报.2009,(08)
[9]吴郁;王浩;程序;亢宝位;.双极功率集成器件的优化[J]北京工业大学学报.2009,(09)
[10]刘茵;胡冬青;吴郁;亢宝位;.内透明集电极IGBT的制造及理论模型[J]电力电子技术.2010,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]胡冬青;亢宝位;吴郁;韩宝东;.高剂量轻离子辐照感生缺陷汲取铂的试验研究[A].2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会论文摘要集.2006-09-01
[2]张娜;亢宝位;田波;韩峰;吴郁;胡冬青;.电源用低压高频功率开关管的新希望—正偏沟槽栅JFET研究[A].2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会论文摘要集.2006-09-01
[3]谢书珊;亢宝位;吴郁;胡冬青;.超低漏电、超快恢复二极管的仿真研究[A].2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会论文摘要集.2006-09-01
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]亢宝位;.制造超快恢复、超软、超低漏电流高压功率二极管新技术研究[A].北京工业大学;.项目经费 6万元.2003-03-31.资助文献数 2 篇
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