韩晔
【姓名】 韩晔
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多孔硅,量子,电化学法制备,荧光,荧光峰,多孔硅膜,电流密度,激发波长,腐蚀时间,光照强度,腐蚀液浓度,单晶硅片,量子线,腐蚀条件,荧光光谱,氟酸,晶向,电阻率,多孔硅发光,量子尺寸效应,
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】
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[1]武少华，臧竞存，韩晔，杨威，高秀玲，刘燕行，杨京海.电化学法制备的多孔硅发光[J]光谱学与光谱分析.1995,(02)
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