高琰
【姓名】 高琰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 IGBT,耐压层,关断损耗,NPT-IGBT,低功耗IGBT,PT-IGBT,通态压降,耐压,扩散层,残留层,发射区,表面浓度,层结构,缓冲层,低功耗,过剩载流子,通态,关断,IGBTs,MOSFET...
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]高琰,亢宝位,程序.一种具有新耐压层结构的IGBT[J]半导体技术.2003,(07)
[2]吴郁,陆秀洪,亢宝位,王哲,程序,高琰.低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真[J]半导体学报.2001,(12)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]高琰.新结构低功耗IGBT的研究[D].北京工业大学.2002
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