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【姓名】	郜志华
【职称】
【研究领域】	材料科学;工业通用技术及设备;化学;
【研究方向】	光电信息薄膜材料与技术
【发表文献关键词】	微晶硅薄膜,沉积速度,晶化比,孵化层,稳定性,致密度,制备,两步法,压强,氧含量,样品,光敏性,硅烷,高质量,吸收系数,等离子体,稀释比,层厚度,红外吸收谱,拉曼谱,
【工作单位】	北京工业大学
【曾工作单位】	北京工业大学;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到2篇

[1]朱秀红;陈光华;刘国汉;丁毅;何斌;张文理;马占洁;郜志华;李志中;.采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜[J]人工晶体学报.2006,(06)

[2]何斌;陈光华;郜志华;邓金祥;张文军;.立方氮化硼薄膜注入Be的Hall效应研究[J]人工晶体学报.2008,(02)

中国优秀硕士学位论文全文数据库 共找到1篇

[1]郜志华.ECR CVD制备立方氮化硼薄膜及性能研究[D].北京工业大学.2007

中国重要会议全文数据库 共找到6篇

[1]马占洁;陈光华;何斌;刘国汉;朱秀红;张文理;李志中;郜志华;宋雪梅;邓金祥;.影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素[A].TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2005-09-01

[2]张文理;陈光华;何斌;朱秀红;马占洁;丁毅;刘国汉;郜志华;宋雪梅;邓金祥;.采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜[A].TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2005-09-01

[3]郜志华;陈光华;李志中;邓金祥;丁毅;.MW-ECR CVD制备立方氮化硼薄膜[A].2006年全国功能材料学术年会专辑.2006-07-01

[4]李志中;陈光华;何斌;郜志华;张晓康;丁毅;张岩;周涛;邓金祥;.p-c-BN／p-Si薄膜同型异质结的电学特性[A].2006年全国功能材料学术年会专辑.2006-07-01

[5]张文理;陈光华;何斌;朱秀红;马占洁;丁毅;刘国汉;郜志华;宋雪梅;.热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究[A].全国薄膜技术学术研讨会论文集.2006-09-01

[6]马占洁;陈光华;何斌;刘国汉;朱秀红;张文理;李志中;郜志华;宋雪梅;邓金祥;.氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素[A].全国薄膜技术学术研讨会论文集.2006-09-01

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