冯贞健
【姓名】 冯贞健
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MWECRCVD,元素赋存状态,高斯函数拟合,粉煤灰,IR分析,透射电镜分析,立方氮化硼/硅N-p异质结,异质结,电容-电压特性,微波化学气相沉积(MW-CVD),~~,伏-安特性,场电子发射,光学带...
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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[3]冯贞健,邢光建,陈光华,于春娜,荣延栋.射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜[J]功能材料与器件学报.2004,(01)
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[1]宋道颖;宋雪梅;陈蔚忠;冯贞健;芦奇力;鲍旭红;陈光华;.a-Si:H薄膜的MW ECR CVD沉积与FTIR分析[A].中国太阳能学会2001年学术会议论文摘要集.2001-10-01
[2]蔡让岐;陈光华;宋雪梅;邢光建;冯贞健;阴生毅;贺德衍;.纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究[A].2002年材料科学与工程新进展（上）——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01
[3]陈光华;蔡让岐;宋雪梅;邢光建;阴生毅;冯贞健;贺德衍;.多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及场电子发射研究[A].2002年材料科学与工程新进展（上）——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01
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