周跃平
【姓名】 周跃平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 GaN基光电子器件可靠性方面的研究
【发表文献关键词】 发光二极管,两步刻蚀法,GaN-LED,刻蚀损伤,PL特性,电压降,I-V特性,退化率,寿命测试,失效分析,器件,反向漏电流,串联电阻,输出功率,正向电压,老化时间,导通电压,等离子体,发光效率,功率...
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]宋颖娉;郭霞;艾伟伟;周跃平;沈光地;.两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤[J]半导体学报.2006,(09)
[2]周跃平;郭霞;王海玲;高国;沈光地;.GaN基发光二极管寿命测试及失效分析[J]半导体光电.2007,(03)
[3]王海玲;郭霞;周跃平;沈光地;.ICP刻蚀GaP研究及对LED性能的影响[J]固体电子学研究与进展.2008,(01)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]周跃平.GaN基发光二极管的寿命测试与可靠性分析[D].北京工业大学.2007
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