张念国
【姓名】 张念国
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MOCVD,Mg掺杂InGaN,高空穴浓度,光致发光,金属有机物化学气相沉积,氮化镓,掺杂浓度,蓝宝石衬底,斜切角度,DCXRD,样品,激活能,InGaN量子阱,双波长LED,LEDs,载流子浓度,D...
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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[1]刘乃鑫;王怀兵;刘建平;牛南辉;张念国;李彤;邢艳辉;韩军;郭霞;沈光地;.高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究[J]物理学报.2006,(09)
[2]牛南辉;王怀兵;刘建平;刘乃鑫;邢艳辉;李彤;张念国;韩军;邓军;沈光地;.蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响[J]功能材料.2006,(12)
[3]李彤;王怀兵;刘建平;牛南辉;张念国;邢艳辉;韩军;刘莹;高国;沈光地;.Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究[J]物理学报.2007,(02)
[4]沈光地;张念国;刘建平;牛南辉;李彤;邢艳辉;林巧明;郭霞;.InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长[J]半导体光电.2007,(03)
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