张跃宗
【姓名】 张跃宗
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体欧姆接触研究
【发表文献关键词】 集成电路芯片,热分析方法,功耗,探测器,增透膜,淀积,接触电阻率,透射率,欧姆接触特性,退火,高温环境,氧化锌,折射率,单晶薄膜,紫外光探测器,电路性能,欧姆接触,响应度,稳态温度分布,主要来源,X射...
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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[1]张跃宗;冯士维;郭春生;张光沉;庄四祥;苏蓉;白云霞;吕长志;.大电流密度下欧姆接触退化机理的研究[J]固体电子学研究与进展.2009,(03)
[2]李瑛;冯士维;杨集;张跃宗;谢雪松;吕长志;卢毅成;.ZnO单晶薄膜光电响应特性[J]半导体学报.2006,(01)
[3]张跃宗;冯士维;谢雪松;李瑛;杨集;孙静莹;吕长志;.半导体功率发光二极管温升和热阻的测量及研究[J]半导体学报.2006,(02)
[4]杨集;冯士维;王承栋;张跃宗;李瑛;孙静莹;.InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究[J]半导体技术.2006,(08)
[5]孙静莹;冯士维;李瑛;杨集;张跃宗;.集成电路芯片级的热分析方法[J]微电子学与计算机.2006,(07)
[6]张跃宗;冯士维;张弓长;王承栋;吕长志;.n-GaN基Ti/Al/Ni/Au的欧姆接触高温特性[J]半导体学报.2007,(06)
[7]冯士维;李瑛;孙静莹;谢雪松;杨集;张跃宗;卢毅成;.ZnO紫外光电导型探测器的制备与研究[J]北京工业大学学报.2007,(07)
[8]张跃宗;冯士维;张弓长;王承栋;.n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究[J]微纳电子技术.2007,(Z1)
[9]王承栋;杨集;冯士维;张跃宗;庄四祥;张弓长;.高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制[J]微纳电子技术.2007,(Z1)
[10]张跃宗;冯士维;张弓长;王承栋;吕长志;.高温下n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的可靠性研究[J]北京工业大学学报.2007,(11)
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[1]张跃宗;冯士维;张弓长;王承栋;.n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究[A].第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集.2007-08-01
[2]王承栋;杨集;冯士维;张跃宗;庄四祥;张弓长;.高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制[A].第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集.2007-08-01
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