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[1]盖红星;邓军;廉鹏;俞波;李建军;韩军;陈建新;沈光地;.具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备[J]功能材料与器件学报.2006,(03)
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[2]盖红星;陈建新;俞波;廉鹏;邓军;李建军;韩军;沈光地;.垂直腔面发射激光器菲涅耳系数矩阵法设计[J]光电工程.2006,(07)
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[3]邹德恕,廉鹏,李建军,徐晨,韩军,俞波,刘莹,张丽,崔碧峰,高国,沈光地.带间耦合多有源区大功率980nm半导体激光器[J]光电子·激光.2003,(02)
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[4]盖红星,邓军,李建军,韩军,俞波,牛南辉,沈光地,陈建新.应变量子阱传输矩阵法设计及MOCVD外延制备[J]固体电子学研究与进展.2004,(04)
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[5]俞波,邓军,韩军,盖红星,牛南辉,形艳辉,廉鹏,郭霞,渠宏伟,沈光地.MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用[J]固体电子学研究与进展.2004,(04)
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[6]俞波,韩军,李建军,盖红星,牛南辉,邓军,邢艳辉,廉鹏,沈光地.应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究[J]半导体光电.2005,(03)
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[7]盖红星,郭霞,邓军,李建军,韩军,邢艳辉,俞波,牛南辉,陈建新,沈光地.利用光学薄膜模型研究垂直腔面发射激光器的光学特性[J]光学技术.2005,(06)
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[8]俞波,盖红星,韩军,邓军,邢艳辉,李建军,廉鹏,邹德恕,沈光地.应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用[J]量子电子学报.2005,(01)
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[9]盖红星,李建军,韩军,邢艳辉,邓军,俞波,沈光地,陈建新.AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究[J]量子电子学报.2005,(01)
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[10]俞波,李建军,盖红星,牛南辉,邢艳辉,邓军,韩军,廉鹏,沈光地.(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究[J]激光与红外.2005,(03)
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