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[1]张万荣,李志国,穆甫臣,程尧海,孙英华,郭伟玲,陈建新,沈光地,张玉清,张慕义.具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性[J]半导体学报.2000,(06)
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[2]孙英华,李志国,程尧海,张万荣.微波功率器件金属化布线回流加固结构[J]半导体学报.2000,(07)
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[3]张万荣,高玉珍,李志国,程尧海,孙英华,陈建新,沈光地,穆杰.高温大电流应力对TiAl/GaAs和TiPtAu/GaAs Schottky二极管Richardson图的影响[J]北京工业大学学报.2000,(02)
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[4]张万荣,李志国,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地.基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/SiHBT基区渡越时间的影响[J]微电子学.2000,(01)
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[5]张万荣,李志国,王立新,汪东,崔福现,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地,罗晋生.Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性[J]电子学报.2001,(08)
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[6]张万荣,李志国,程尧海,高玉珍,孙英华,陈建新,沈光地.TiA1和TiPtAu栅GaAs MESFET稳定性研究[J]固体电子学研究与进展.2001,(02)
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[8]穆甫臣,李志国,张万荣,郭伟玲,孙英华,严永鑫.对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进[J]半导体学报.1999,(03)
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[9]张万荣,李志国,穆甫臣,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地,穆杰.GaAs MESFETs欧姆接触的快速评估和改进[J]北京工业大学学报.1999,(03)
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[10]张万荣,李志国,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地.重掺杂P型Si_(1-x)Ge_x层中少数载流子浓度的低温特性[J]微电子学.1999,(05)
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