马占洁
【姓名】 马占洁
【职称】
【研究领域】 材料科学;工业通用技术及设备;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 微晶硅薄膜,沉积速度,晶化比,孵化层,稳定性,致密度,制备,两步法,压强,氧含量,样品,光敏性,硅烷,高质量,吸收系数,等离子体,稀释比,层厚度,红外吸收谱,拉曼谱,
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到1篇
[1]朱秀红;陈光华;刘国汉;丁毅;何斌;张文理;马占洁;郜志华;李志中;.采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜[J]人工晶体学报.2006,(06)
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[1]马占洁.MWECR CVD制备a-Si:H薄膜光稳定性研究[D].北京工业大学.2006
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[1]马占洁;陈光华;何斌;刘国汉;朱秀红;张文理;李志中;郜志华;宋雪梅;邓金祥;.影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素[A].TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2005-09-01
[2]张文理;陈光华;何斌;朱秀红;马占洁;丁毅;刘国汉;郜志华;宋雪梅;邓金祥;.采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜[A].TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2005-09-01
[3]张文理;陈光华;何斌;朱秀红;马占洁;丁毅;刘国汉;郜志华;宋雪梅;.热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究[A].全国薄膜技术学术研讨会论文集.2006-09-01
[4]马占洁;陈光华;何斌;刘国汉;朱秀红;张文理;李志中;郜志华;宋雪梅;邓金祥;.氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素[A].全国薄膜技术学术研讨会论文集.2006-09-01
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