学者知网节

【姓名】	牛南辉
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】	氮化镓MOCVD材料生长及器件研制工作
【发表文献关键词】	应变量子阱,光增益,GaInNAs,GaAs量子阱,温度场分布,剥离技术,一维模型,脉冲激光,GaN,Mg掺杂InGaN,高空穴浓度,光致发光,金属有机物化学气相沉积,氮化镓,外延层,掺杂浓度,阈值条...
【工作单位】	北京工业大学
【曾工作单位】	北京工业大学;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到21篇

[1]刘乃鑫;王怀兵;刘建平;牛南辉;韩军;沈光地;.p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究[J]物理学报.2006,(03)

[2]罗俊锋;王俊忠;牛南辉;赵林林;张隐奇;郭霞;沈光地;吉元;.半导体结构中局域弹性应变场的电子背散射衍射分析[J]电子显微学报.2006,(02)

[3]牛南辉;王怀兵;刘建平;刘乃鑫;刑燕辉;韩军;邓军;沈光地;.镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响[J]固体电子学研究与进展.2006,(03)

[4]刘乃鑫;王怀兵;刘建平;牛南辉;张念国;李彤;邢艳辉;韩军;郭霞;沈光地;.高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究[J]物理学报.2006,(09)

[5]牛南辉;王怀兵;刘建平;刘乃鑫;邢艳辉;李彤;张念国;韩军;邓军;沈光地;.蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响[J]功能材料.2006,(12)

[6]李彤;王怀兵;刘建平;牛南辉;张念国;邢艳辉;韩军;刘莹;高国;沈光地;.Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究[J]物理学报.2007,(02)

[7]牛南辉;王怀兵;刘建平;刘乃鑫;邢燕辉;韩军;邓军;沈光地;.生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性[J]光电子.激光.2007,(04)

[8]沈光地;张念国;刘建平;牛南辉;李彤;邢艳辉;林巧明;郭霞;.InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长[J]半导体光电.2007,(03)

[9]邢艳辉;韩军;刘建平;牛南辉;邓军;沈光地;.p型氮化镓退火及发光二极管研究[J]固体电子学研究与进展.2007,(02)

[10]邢艳辉;韩军;邓军;刘建平;牛南辉;李彤;沈光地;.p型氮化镓不同掺杂方法研究[J]功能材料.2007,(07)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]吉元;田彦宝;王俊忠;张隐奇;牛南辉;徐晨;韩军;郭霞;沈光地;.半导体外延系统微区应力的EBSD研究(邀请报告)[A].第二届全国背散射电子衍射（EBSD）技术及其应用学术会议暨第六届全国材料科学与图像科技学术会议论文集.2007-08-01

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