吕长治
【姓名】 吕长治
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 AlGaN/GaN,高电子迁移率,HEMT,HEMT器件,氮化,高温性能,输出特性,高温特性,栅长,信息与控制,北京工业大学,工程学院,饱和电流,直流特性,固体器件,AlGaN,二维电子,温度升高,栅...
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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[1]张小玲,吕长治,谢雪松,李志国,曹春海,李拂晓,陈堂胜,陈效建.AlGaN/GaN HEMT器件的研制[J]半导体学报.2003,(08)
[2]张小玲,谢雪松,吕长治,李岩,李鹏,冯士维,李志国.AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性[J]微电子学与计算机.2004,(07)
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