陆秀洪
【姓名】 陆秀洪
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 IGBT,PT-IGBT,NPT-IGBT,关断损耗,通态压降,发射区,缓冲层,低功耗,IGBTs,过剩载流子,关断过程,n型,预扩散,残留层,MOSFET,结构参数,耐压,关断,基区,功率损耗,
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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[1]吴郁,陆秀洪,亢宝位,王哲,程序,高琰.低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真[J]半导体学报.2001,(12)
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[1]陆秀洪.新结构低功耗IGBT研究[D].北京工业大学.2001
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