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【姓名】	刘建平
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】	绿洲经济发展,稳定性,评价指标体系,阜康,发展系统,Mg掺杂InGaN,高空穴浓度,光致发光,金属有机物化学气相沉积,生态经济理论,氮化镓,掺杂浓度,系统耦合,样品,表面形貌,MOCVD,晶体质量,激...
【工作单位】	北京工业大学
【曾工作单位】	北京工业大学;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到11篇

[1]牛南辉;王怀兵;刘建平;刘乃鑫;刑燕辉;韩军;邓军;沈光地;.镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响[J]固体电子学研究与进展.2006,(03)

[2]刘乃鑫;王怀兵;刘建平;牛南辉;张念国;李彤;邢艳辉;韩军;郭霞;沈光地;.高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究[J]物理学报.2006,(09)

[3]牛南辉;王怀兵;刘建平;刘乃鑫;邢艳辉;李彤;张念国;韩军;邓军;沈光地;.蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响[J]功能材料.2006,(12)

[4]李彤;王怀兵;刘建平;牛南辉;张念国;邢艳辉;韩军;刘莹;高国;沈光地;.Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究[J]物理学报.2007,(02)

[5]牛南辉;王怀兵;刘建平;刘乃鑫;邢燕辉;韩军;邓军;沈光地;.生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性[J]光电子.激光.2007,(04)

[6]沈光地;张念国;刘建平;牛南辉;李彤;邢艳辉;林巧明;郭霞;.InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长[J]半导体光电.2007,(03)

[7]邢艳辉;韩军;刘建平;牛南辉;邓军;沈光地;.p型氮化镓退火及发光二极管研究[J]固体电子学研究与进展.2007,(02)

[8]邢艳辉;韩军;邓军;刘建平;牛南辉;李彤;沈光地;.p型氮化镓不同掺杂方法研究[J]功能材料.2007,(07)

[9]邢艳辉;韩军;刘建平;邓军;牛南辉;沈光地;.垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性[J]物理学报.2007,(12)

[10]牛南辉;王怀兵;刘建平;邢燕辉;韩军;邓军;沈光地;.InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究[J]固体电子学研究与进展.2008,(01)

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