廉鹏
【姓名】 廉鹏
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaInNAs,GaInP,VCSEL,应变量子阱,MOCVD生长,化学气相淀积,量子阱,金属有机,半导体激光器,长波长,光电子学,面发射激光器,InGaAs/GaAs,980nm半导体激光器,氮化物...
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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[1]盖红星;陈建新;邓军;廉鹏;俞波;李建军;韩军;沈光地;.金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法[J]光学精密工程.2006,(01)
[2]盖红星;邓军;廉鹏;俞波;李建军;韩军;陈建新;沈光地;.具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备[J]功能材料与器件学报.2006,(03)
[3]盖红星;陈建新;俞波;廉鹏;邓军;李建军;韩军;沈光地;.垂直腔面发射激光器菲涅耳系数矩阵法设计[J]光电工程.2006,(07)
[4]曹玉莲;廉鹏;王青;吴旭明;何国荣;曹青;宋国峰;陈良惠;.780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器[J]半导体学报.2006,(09)
[5]董立闽;郭霞;渠红伟;邹德恕;廉鹏;邓军;沈光地;.AlGaAs湿法氧化的热稳定性研究[J]激光与红外.2006,(09)
[6]李建军;韩军;邓军;崔碧峰;廉鹏;邹德恕;沈光地;.隧道再生四有源区大功率半导体激光器[J]光学学报.2006,(12)
[7]林委之;李建军;于晓东;邓军;廉鹏;韩军;邢艳辉;沈光地;.Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响[J]半导体光电.2007,(02)
[8]黄静,郭霞,渠红伟,廉鹏,朱文军,邹德恕,沈光地.AlAs/AlGaAs的湿氧氧化及其在VCSEL制备中的应用[J]半导体光电.2003,(05)
[9]朱文军,郭霞,廉鹏,邹德恕,高国,沈光地.多有源区垂直腔面发射半导体激光器的特性分析[J]北京工业大学学报.2003,(01)
[10]邹德恕,廉鹏,李建军,徐晨,韩军,俞波,刘莹,张丽,崔碧峰,高国,沈光地.带间耦合多有源区大功率980nm半导体激光器[J]光电子·激光.2003,(02)
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