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侯英梁
【姓名】
侯英梁
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
HEMT,AlGaN/GaN,高电子迁移率晶体管,直流特性,氮化镓,栅长,饱和电流,栅宽,北京工业大学,源电流,电子信息,二维电子气,控制工程,S参数测量,MODFET,推出器,最高振荡频率,栅漏,欧...
【工作单位】
北京工业大学
【曾工作单位】
北京工业大学;
【所在地域】
北京
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共找到1篇
[1]张小玲,吕长志,谢雪松,何焱,侯英梁,冯士维,李志国,曾庆明.
跨导为220 mS/mm的AlGaN/GaNHEMT
[J]固体电子学研究与进展.2004,(02)
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