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陈光华
【姓名】
陈光华
【职称】
教授;
【研究领域】
工业通用技术及设备;物理学;材料科学;
【研究方向】
半导体材料研究
【发表文献关键词】
硅薄膜,非晶,桥键,热丝,氢化,沉积速率,氢化非晶硅,微波ECRCVD,氢含量,电子回旋共振,间隙扩散,氢扩散,复合膜,氢化非晶硅薄膜,傅立叶变换,氢稀释率,光敏性,电子回旋共振化学气相沉积,电荷转移...
【工作单位】
北京工业大学
【曾工作单位】
北京工业大学;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
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核心期刊论文数
基金论文数
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到72篇
[1]朱秀红;陈光华;郑茂盛;.
氢稀释比与衬底温度对硅基薄膜相变及其光电性能影响的研究
[J]功能材料.2012,(04)
[2]朱秀红;陈光华;郑茂盛;.
沉积条件对硅基薄膜非晶转微晶相变、沉积速率及其光电性能的影响(英文)
[J]功能材料与器件学报.2012,(02)
[3]王立富;胡跃辉;张祥文;陈光华;曲铭浩;谢耀江;.
用HW-MWECRCVD系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究
[J]陶瓷学报.2009,(02)
[4]邓金祥;张晓康;姚倩;汪旭洋;陈光华;贺德衍;.
Optical properties of hexagonal boron nitride thin films deposited by radio frequency bias magnetron sputtering
[J]Chinese Physics B.2009,(09)
[5]谢耀江;胡跃辉;肖仁贤;陈光华;徐海军;陈义川;王立富;.
用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究
[J]陶瓷学报.2010,(04)
[6]田凌;丁毅;陈浩;刘钧锴;邓金祥;贺德衍;陈光华;.
用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜
[J]物理学报.2006,(10)
[7]刘国汉;丁毅;朱秀红;陈光华;贺德衍;.
HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究
[J]物理学报.2006,(11)
[8]朱秀红;陈光华;刘国汉;丁毅;何斌;张文理;马占洁;郜志华;李志中;.
采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜
[J]人工晶体学报.2006,(06)
[9]刘国汉;丁毅;朱秀红;何斌;陈光华;贺德衍;.
热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究
[J]太阳能学报.2006,(10)
[10]陈浩;邓金祥;刘钧锴;周涛;张岩;陈光华;.
立方氮化硼薄膜沉积过程的相变研究
[J]物理学报.2007,(06)
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中国重要会议全文数据库
共找到38篇
[1]张兴旺;严辉;王波;路永刚;陈光华;.
偏压对c-BN薄膜生长特性的影响
[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
[2]严辉;邹云娟;宋雪梅;张兴旺;王波;陈光华;马国斌;.
富勒烯-聚甲基丙烯酸甲脂复合膜的结构研究
[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
[3]严辉;宋雪梅;邹云娟;张兴旺;王波;陈光华;马国斌;.
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[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
[4]宋道颖;宋雪梅;陈蔚忠;冯贞健;芦奇力;鲍旭红;陈光华;.
a-Si:H薄膜的MW ECR CVD沉积与FTIR分析
[A].中国太阳能学会2001年学术会议论文摘要集.2001-10-01
[5]吴现成;王博;严辉;陈光华;.
工艺参数对CN_x薄膜结构和特性的影响
[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
[6]邵乐喜;刘小平;屈菊兰;谢二庆;贺德衍;陈光华;.
原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响
[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
[7]王波;邹云娟;王玫;陈光华;严辉;.
C_(60)薄膜的结构和特性研究
[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
[8]蔡让岐;陈光华;宋雪梅;邢光建;冯贞健;阴生毅;贺德衍;.
纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究
[A].2002年材料科学与工程新进展(上)——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01
[9]陈光华;蔡让岐;宋雪梅;邢光建;阴生毅;冯贞健;贺德衍;.
多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及场电子发射研究
[A].2002年材料科学与工程新进展(上)——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01
[10]阴生毅;陈光华;宋雪梅;胡跃辉;吴越颖;王青;刘毅;.
提高MWECR-CVD沉积a-Si:H薄膜速度的新方法
[A].21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集.2003-06-30
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刘国汉
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