朱恩均
【姓名】 朱恩均
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 非晶硅,发射极,微波晶体管,GaP薄膜,双极型晶体管,近期进展,异质结,微分迁移率,氢化,负电子,电流增益,高频性能,电子器件,基区电阻,非晶态,PECVD法,微波,沟道,二维数值分析,场效应管,镇流...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]王因生,熊承堃,盛文伟,张晓明,汪建元,茅保华,朱恩均.氧化非晶硅发射极微波晶体管近期进展[J]固体电子学研究与进展.1989,(01)
[2]徐剑虹,陈坤基,朱恩均.a-GaP薄膜的制备及其光学性质研究(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[3]王因生,盛文伟,汪建元,张晓明,熊承堃,朱恩均.Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究[J]半导体学报.1989,(06)
[4]徐剑虹,盛文伟,熊承堃,朱恩均,陈坤基.用PECVD法制备非晶态GaP薄膜[J]固体电子学研究与进展.1990,(01)
[5]林绪伦,朱恩均,黄敞,肖硕.负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析[J]半导体学报.1991,(06)
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