赵铁民
【姓名】 赵铁民
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 TiSi_2,多晶硅,MOS电容,自对准技术,栅氧化层,MOSFET,形成特性,临界值,炉退火,溅射,层厚度,横截,硅层,多晶,硅化物,方块电阻,退火温度,横截面形貌,陶江,Ti膜,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]陶江,赵铁民,张国炳,王阳元,汪锁发,李永洪.TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究[J]半导体学报.1989,(10)
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