张天义
【姓名】 张天义
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电信技术;
【研究方向】 集成电路计算机辅助设计方面的研究
【发表文献关键词】 温差电动势率,SOI技术,CMOS,非晶硅,带隙基准源,曲率补偿,低功耗,辉光放电法,体硅,电导率,蒸发法,定域态,修调,有源滤波器,截止频率,铜块,线性稳压源,能隙基准,温度补偿电路,低压差,SOI...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 广东深圳
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[1]柯学;邹敏翰;张天义;金玉丰;.一种高精度低压差线性稳压芯片的实现[J]电子与封装.2006,(08)
[2]邹敏瀚;柯学;金玉丰;张天义;.一种片后数字修调技术及其应用[J]微电子学.2006,(05)
[3]杨益;赵勇;张天义;.基于AVS-P7标准插值计算模块的VLSI实现[J]计算机与数字工程.2007,(11)
[4]王帅旗,李福乐,王志华,张天义.一种曲率补偿CMOS带隙基准源(英文)[J]微电子学.2005,(05)
[5]徐文华,张天义,汪红梅,张兴.SOI技术的机遇和挑战[J]电子器件.2001,(01)
[6]楚珏辉,张国炳,张天义.非晶硅的电导率和温差电动势率[J]北京大学学报(自然科学版).1982,(05)
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