张国炳
【姓名】 张国炳
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 微电子学的研究
【发表文献关键词】 TiSi_2,MOS电容,自对准,硅化物,SALICIDE,多晶硅,炉退火,方块电阻,CoSi,浅结,钨膜,膜性质,高温工艺,再分布,硅栅,结构特性,BF_2~+注入,溅射,杂质再分布,接触电阻率,杂...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到19篇
[1]郝一龙;徐佳嘉;张国炳;武国英;闫桂珍;.基于硅悬臂梁谐振器的新型气体传感器(英文)[J]半导体学报.2006,(04)
[2]纪明;陈哲;田大宇;王玮;张国炳;张海霞;.金属和SiC复合薄膜的应力及应力梯度控制技术[J]纳米技术与精密工程.2008,(01)
[3]王煜,郭辉,张海霞,田大宇,张国炳,李志宏.SiC薄膜制备MEMS结构[J]中国机械工程.2005,(14)
[4]王阳元,武国英,郝一龙,张大成,肖志雄,李婷,张国炳,张锦文.硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究[J]电子学报.2002,(11)
[5]张国炳,郝一龙,田大宇,刘诗美,王铁松,武国英.多晶硅薄膜应力特性研究[J]半导体学报.1999,(06)
[6]林世昌,张燕生,张国炳,王阳元.扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究[J]电子科学学刊.1995,(03)
[7]楚珏辉,张国炳,张天义.非晶硅的电导率和温差电动势率[J]北京大学学报(自然科学版).1982,(05)
[8]张国炳,王继红,卢殿通,陶敦仁.离子注入多晶硅的电子束退火[J]微细加工技术.1983,(02)
[9]陈慧英,孙丹虹,高剑萍,张广利,冯新德,张国炳.甲基丙烯酸己磺酸钠的等离子引发聚合[J]科学通报.1984,(08)
[10]陈慧英,孙丹虹,高剑萍,张广利,冯新德,张国炳.PLASMA INITIATED POLYMERIZATION OF SODIUM SULFOHEXYL METHACRYLATE[J]A Monthly Journal of Science.1984,(09)
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中国重要会议全文数据库    共找到6篇
[1]林世昌;张燕生;张国炳;王阳元;.扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究——电子束对材料改性研究之二[A].中国电工技术学会电子束离子束专业委员会第五届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第三届电子束焊接学术年会论文集.1993-12-01
[2]林世昌;张燕生;张国炳;王阳元;.扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究——电子束对材料改性研究之二[A].第七届全国电加工学术年会论文集.1993-10-01
[3]林世昌;张燕生;张国炳;王阳元;陈坚;赵勇;.电子束诱导金属硅化物的研究——扫描电子束对材料改性研究之一[A].第七届全国电加工学术年会论文集.1993-10-01
[4]王煜;郭辉;张海霞;田大宇;张国炳;李志宏;.SiC薄膜制备MEMS结构[A].中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(二).2005-08-01
[5]郭辉;王煜;张海霞;田大宇;张国炳;李志宏;.PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究[A].中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(一).2005-08-01
[6]秦复光;姚振钰;江海;刘志凯;黄大定;林兰英;武国英;郝一龙;李志宏;张国炳;陈文茹;顾页;.在有图形衬底上COSi_2的选择生长[A].第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1995-10-23
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