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[2]王艳兵,孙永科,乔永平,张伯蕊,秦国刚,陈文台,龚义元,吴德馨,马振昌,宗婉华.硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光[J]半导体学报.2000,(07)
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[3]陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,乔永平,吴恩,朱美栋,秦国刚.碳在GaN中的形态[J]量子电子学报.2000,(05)
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[4]陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,吴恩,孙允希,乔永平.固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
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[5]王孙涛,陈源,张伯蕊,乔永萍,秦国刚,马振昌,宗婉华.在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响[J]半导体学报.2001,(02)
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[6]孙永科,崔晓明,张伯蕊,秦国刚,马振昌,宗婉华.刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光[J]半导体学报.2001,(05)
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[7]袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,付济时,秦国刚,马振昌,宗婉华.室温下掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅的光致发光及其退火[J]光谱学与光谱分析.2001,(06)
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[8]袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,傅济时,秦国刚,马振昌,宗婉华.磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er~(3+) 1.54μm光致发光[J]物理学报.2001,(12)
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[9]袁放成,冉广照,陈源,戴伦,乔永平,张伯蕊,秦国刚,马振昌,宗婉华.SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er~(3+)1.54μm波长的电致发光[J]固体电子学研究与进展.2002,(04)
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[10]徐东升,郭国霖,桂琳琳,唐有祺,张伯蕊,秦国刚.超临界干燥和普通干燥方法对多孔硅的结构及性质的影响[J]科学通报.1999,(21)
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