张伯蕊
【姓名】 张伯蕊
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 富勒碳,纳米硅(锗),非线性光学,三阶,炉退火,富硅二氧化硅,硅基发光,电致发光,量子限制,发光中心,固体C_(70),原子,离子注入,物理系,整流性质,界面态,石墨微粒,相位共轭,北京大学,纳米硅,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]李宇杰,石鹏博,段然,张伯蕊,乔永平,秦国刚,黄兰.以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒[J]红外与毫米波学报.2004,(03)
[2]王艳兵,孙永科,乔永平,张伯蕊,秦国刚,陈文台,龚义元,吴德馨,马振昌,宗婉华.硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光[J]半导体学报.2000,(07)
[3]陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,乔永平,吴恩,朱美栋,秦国刚.碳在GaN中的形态[J]量子电子学报.2000,(05)
[4]陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,吴恩,孙允希,乔永平.固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[5]王孙涛,陈源,张伯蕊,乔永萍,秦国刚,马振昌,宗婉华.在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响[J]半导体学报.2001,(02)
[6]孙永科,崔晓明,张伯蕊,秦国刚,马振昌,宗婉华.刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光[J]半导体学报.2001,(05)
[7]袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,付济时,秦国刚,马振昌,宗婉华.室温下掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅的光致发光及其退火[J]光谱学与光谱分析.2001,(06)
[8]袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,傅济时,秦国刚,马振昌,宗婉华.磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er~(3+) 1.54μm光致发光[J]物理学报.2001,(12)
[9]袁放成,冉广照,陈源,戴伦,乔永平,张伯蕊,秦国刚,马振昌,宗婉华.SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er~(3+)1.54μm波长的电致发光[J]固体电子学研究与进展.2002,(04)
[10]徐东升,郭国霖,桂琳琳,唐有祺,张伯蕊,秦国刚.超临界干燥和普通干燥方法对多孔硅的结构及性质的影响[J]科学通报.1999,(21)
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[1]傅济时;吴恩;朱美栋;张伯蕊;杨思和;黄和金;.内含镝、钕原子的富勒碳-82的三阶非线性光学特性[A].'99十一省(市)光学学术会议论文集.1999-11-01
[2]傅济时;吴恩;朱美栋;张伯蕊;杨思和;黄和金;.内含镝、钕原子的富勒碳-82的三阶非线性光学特性[A].第四届全国光学前沿问题研讨会论文摘要集.1999-11-01
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