学者知网节

中国期刊全文数据库 共找到10篇

[1]王一帆;张仕雄;陈帅宇;陈子杰;杨学林;许福军;王新强;葛惟昆;沈波;唐宁;.Ⅲ-Ⅴ族半导体二维量子结构中载流子的自旋弛豫[J]物理学报.2026,(08)

[2]杨飏;黄森;付星宇;郭富强;姚毅旭;邓可心;刘剑飞;王鑫华;高新国;魏珂;刘新宇;杨学林;沈波;.二次外延异质结构介导的倾斜沟道GaN基p型晶体管制备与特性[J]物理学报.2026,(08)

[3]周炜翔;曹荣幸;胡迪科;王义元;许灏炀;杨学林;陆雨鑫;王玉才;薛玉雄;.增强型Cascode结构GaN HEMT器件中子辐照效应研究[J]航天器环境工程.2024,(05)

[4]杨学林;沈波;.Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展[J]人工晶体学报.2023,(05)

[5]沈波;杨学林;许福军;.氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延[J]人工晶体学报.2020,(11)

[6]陈秀芳;杨祥龙;徐现刚;杨学林;魏同波;刘建利;.第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇[J]新材料产业.2018,(01)

[7]沈波;唐宁;杨学林;王茂俊;许福军;王新强;秦志新;.GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用[J]物理学进展.2017,(03)

[8]邢海英;范广涵;杨学林;张国义;.金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究[J]物理学报.2010,(01)

[9]陈志涛;徐科;杨志坚;苏月永;潘尧波;杨学林;张酣;张国义;.线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性[J]半导体学报.2006,(08)

[10]苏月永;陈志涛;徐科;郭立平;潘尧波;杨学林;杨志坚;张国义;.用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)[J]发光学报.2006,(04)

中国重要会议全文数据库 共找到5篇

[1]姜显哲;杨学林;张法法;陈志涛;王存达;张国义;.MOCVD生长GaMnN多层膜磁学性质的热处理稳定性研究[A].第十二届全国MOCVD学术会议论文集.2012-04-11

[2]张国义;杨学林;陈志涛;.GaMnN-DMS and Spin-LED[A].介观光学及其应用研讨会论文集.2007-01-01

[3]张国义;陈志涛;杨学林;.GaMnN—稀磁半导体与自旋偏振光LED[A].第11届全国发光学学术会议论文摘要集.2007-08-01

[4]陈志涛;杨学林;杨志坚;张国义;.MOCVD Mn-delta生长GaN：Mn的结构和磁学性质[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01

[5]杨学林;陈志涛;杨志坚;于彤军;张国义;.MOCVD法生长(Ga，Mn)N材料的磁学和电子结构特性[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01

【姓名】	杨学林
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】	高分辨XRD,摇摆曲线,穿透位错,线形拟合,必要性,半峰宽,长时间,退火,材料结构,腐蚀坑密度,腐蚀实验,薄膜,射线衍射,样品,位错密度,相干长度,倾斜角,表征,单调关系,化学,
【工作单位】	北京大学
【曾工作单位】	北京大学;
【所在地域】	北京

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