张国艳
【姓名】 张国艳
【职称】 讲师;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;化学;
【研究方向】 与SOI技术相关的器件和电路设计
【发表文献关键词】 SOI,串扰,数模混合集成电路,失真分析,失真模型,模型,SOIMOSFET’s,幂级数方法,SOIMOSFET,失真行为,SOI MOSFET,SOI器件,混合集成电路,数模,MOSFET,短沟效应...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]石浩;刘军华;张国艳;廖怀林;黄如;王阳元;.一种补偿宽频带小数N频率合成器中Sigma-Delta整形噪声的新方法(英文)[J]半导体学报.2006,(04)
[2]杨利;周毅;张国艳;廖怀林;黄如;张兴;王阳元;.用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术(英文)[J]稀有金属材料与工程.2006,(06)
[3]杨利;张国艳;周毅;廖怀林;黄如;张兴;王阳元;.厚膜P型宏孔多孔硅阳极氧化电流优化(英文)[J]稀有金属材料与工程.2006,(09)
[4]张国艳,黄如,张兴,王阳元.SOI MOSFET的失真行为(英文)[J]半导体学报.2003,(08)
[5]王文平,黄如,张国艳.亚100nm SOI器件的结构优化分析[J]半导体学报.2003,(09)
[6]赵冬燕,张国艳,黄如.基于SOI衬底的射频电感优化设计[J]半导体学报.2004,(06)
[7]延涛,张国艳,黄如,王阳元.基于SOI的可变电容的特性分析[J]北京大学学报(自然科学版).2004,(05)
[8]王文平,黄如,张国艳.超薄体MOSFET的结构优化(英文)[J]半导体学报.2004,(10)
[9]周毅,杨利,张国艳,黄如.适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术[J]半导体学报.2005,(06)
[10]张国艳,黄如,张兴,王阳元.SOI数模混合集成电路的串扰特性分析[J]半导体学报.2002,(02)
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]张国艳;.基于SOI的射频（RF）电路相关特性研究及射频电路模块研制[A].北京大学;.项目经费 20万元.2003-03-31.资助文献数 2 篇
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