王彦刚
【姓名】 王彦刚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 超薄栅MOS器件栅氧化层可靠性的研究
【发表文献关键词】 衬底电流,软击穿,超薄栅氧化层,栅电流,类Fowler-Nordheim隧穿,n-MOSFET,薄栅,Si/SiO2界面,缺陷带,nMOSFET,FN隧穿,导电机制,势垒高度,光泵,威布尔分布,界面势...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]王彦刚;许铭真;谭长华;段小蓉;.基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟[J]半导体学报.2006,(04)
[2]王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉.超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制[J]物理学报.2005,(08)
[3]王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉.恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性[J]半导体学报.2005,(05)
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