张玉峰
【姓名】 张玉峰
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;数学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氢气氛,区熔硅,辐照缺陷,薄层电阻,电激活,扩散杂质,隙态密度,扩硼,热处理缺陷,生长区,瞬态电容,掺磷,激光辐照,氢致缺陷,少子寿命,深能级,电子陷阱,辐照,点缺陷,热退火,辐照后,中子辐照,隙态密...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]王晶晶,阎宏,邓宇俊,李红东,张玉峰,张帆,夏宗炬,高巧君,邹英华.近场拉曼光谱实验装置及CVD金刚石膜的近场拉曼光谱[J]光散射学报.2001,(01)
[2]张玉峰;.上市,方正发展的新平台[J]未来与发展.1996,(02)
[3]秦国刚,张玉峰,杜永昌,吴书祥,张丽珠,陈开茅.用深能级瞬态谱及瞬态电容研究靠近禁带中央能级的新方法[J]半导体学报.1981,(03)
[4]张玉峰,孟军,杜永昌,吴书祥.用DLTS研究硅中注磷缺陷的退火行为[J]北京大学学报(自然科学版).1982,(04)
[5]吴书祥,晏懋洵,华宗璐,张玉峰,杜永昌.高阻硅中子嬗变掺杂高温退火后的缺陷[J]北京大学学报(自然科学版).1982,(06)
[6]秦国刚,杜永昌,张玉峰.用C-V法同时测量半导体中深中心和浅杂质的浓度分布[J]半导体学报.1982,(02)
[7]张玉峰,张丽珠,吴书祥,杜永昌.用DLTS研究注氧硅中深中心缺陷[J]半导体学报.1982,(03)
[8]李元恒,张玉峰,吴书祥,杜永昌.扩硼Si在连续CO_2激光辐照后的特性[J]半导体学报.1982,(04)
[9]杜永昌,李高斌,黎宏志,张玉峰.用低频C-V法测量a-Si:H的隙态密度[J]物理.1983,(11)
[10]李元恒;张玉峰;.硅对强CO_2激光的雪崩吸收及其后果[J]中国激光.1983,(Z1)
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