姚秀琛
【姓名】 姚秀琛
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;数学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深能级,热发射,空穴,电子辐照缺陷,单轴应力,n型,GaAs,直拉硅,振动熵,表观激活能,深中心,DLTS,受主能级,谱图,电子辐照,不等价,秦国,引入率,原子位移,气至,反冲能,退火温度,八价,双空...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]姚秀琛,秦国刚,曾树荣,元民华.硅中金受主能级在单轴应力下瞬态电容的研究[J]物理学报.1984,(03)
[2]秦国刚,姚秀琛.深能级电子(空穴)的热发射与振动熵[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1984,(05)
[3]秦国刚,姚秀琛.THERMAL EMISSION OF ELECTRONS (HOLES) IN DEEP LEVELS AND VIBRATIONAL ENTROPY[J]Science in China,Ser.A.1984,(08)
[4]林昭(火回),张丽珠,童晓民,姚秀琛,张伯蕊,秦国刚,李桂英.单轴应力下掺氮GaP光致发光研究[J]红外研究.1984,(04)
[5]姚秀琛,元民华,秦国刚,丁墨元,施益和,钱思敏.n型LPE GaAs层中几种电子辐照缺陷的研究[J]半导体学报.1985,(03)
[6]姚秀琛,牟建勋,秦国刚.硅中负电态和中性态A中心在<100>单轴应力下的择优取向[J]半导体学报.1986,(02)
[7]李灿国,姚秀琛,秦国刚.质子注入直拉硅中缺陷的研究[J]半导体学报.1986,(04)
[8]秦国刚,李灿国,姚秀琛,虞福春.在存在高浓度深能级情况下确定各深能级分布的理论与实践[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1987,(05)
[9]秦国刚,李灿国,姚秀琛,虞福春.THEORY AND PRACTICE ON DETERMINATION OF DEEP LEVEL PROFILES IN MULTIHIGH-DENSITY-LEVEL CASE[J]Science in China,Ser.A.1988,(01)
[10]姚秀琛,王雷,陈开茅,秦国刚.硅中E_c-O.18 eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究[J]半导体学报.1989,(05)
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