杨澄清
【姓名】 杨澄清
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 五元系,系化合物,热生长,表面浓度,氧化层厚度,二氧化硅层,具体分布,溶隙,杂质浓度,氧化层,晶格常数,扩散源,几何表示,晶格匹配,杂质分布,组分,过氧化,扩散过程,扩散系数,扩散分布,薄层电导,扩散...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]徐自亮,徐万劲,李力,杨澄清,刘弘度.五元系组分空间的几何表示以及晶格常数与能带和互溶隙的计算[J]半导体学报.1998,(10)
[2]徐自亮,徐万劲,李力,杨澄清,刘弘度.过冷度对Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs LPE生长的影响[J]北京大学学报(自然科学版).1998,(05)
[3]陈辰嘉,杨澄清,黄亨吉.磷通过热生长二氧化硅层在硅中的扩散[J]物理学报.1964,(07)
[4]吕斯骅;杨澄清;黄刚;.LP—1激光功率计原理及其在物理实验中的应用[J]物理实验.1989,(05)
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[1]周赫田;金鹰;杨澄清;王钢;.In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)和Al_xGa_(1-x)As_ysb_(1-y)的喇曼散射[A].中国物理学会光散射专业委员会成立十周年暨第六届学术会议论文集(上).1991-10-01
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